Мощный биполярный транзистор IGW50N65F5FKSA1
Описание:
Этот биполярный транзистор IGBT представляет собой надежный компонент для электронных устройств, обеспечивающий высокую производительность и надежность.
С характеристиками 650 В, 80 А и 305 Вт, этот транзистор идеально подходит для широкого спектра приложений, включая управление электродвигателями, инверторы и преобразователи.
Кроме того, его компактный размер позволяет легко интегрировать его в различные электронные устройства.
Характеристики:
Напряжение: 650 В
Ток: 80 А
Мощность: 305 Вт
Тип транзистора: IGBT
Модель: IGW50N65F5FKSA1
| Характеристики | |
| Импульсный ток коллектора макс. | 150 А |
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 650 В |
| Макс. рассеиваемая мощность | 305 Вт |
| Макс. ток коллектора | 80 А |
| Нормоупаковка | 240 шт. |
| Переключаемая энергия | 490 мкДж |
| Корпус | PG-TO-247-3 |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: 480b5a93
- Доступность: В наличие
- Артикул: IGW50N65F5FKSA1
-
рассчитывается индивидуально
