IGW40T120FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 270 Вт

Описание IGW40T120FKSA1 Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode. Технология/семействоtrench and fieldstopНаличие встроенного диоданетМаксимальное напряжение КЭ ,В1200Максимальный ток КЭ при 25°C, A75Импульсный ток коллектора (Icm), А105Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.3Максимальная рассеиваемая мощность, Вт270Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс48Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс480Рабочая температура (Tj), °C-40…+150Корпусpg-to-247-3Структураn-каналУправляющее напряжение,В5.8Крутизна характеристики, S21Вес, г7.5