Биполярный транзистор HGTP12N60A4D IGBT
Технические характеристики:
Напряжение: 600 В
Ток: 54 А
Мощность: 167 Вт
Биполярный транзистор HGTP12N60A4D IGBT - надежный и эффективный компонент для электронных устройств. Идеально подходит для широкого спектра применений, от энергосберегающих систем до промышленных устройств.
| Характеристики | |
| Вес брутто | 2.85 г. |
| Импульсный ток коллектора макс. | 96 А |
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 600 В |
| Макс. рассеиваемая мощность | 167 Вт |
| Макс. ток коллектора | 54 А |
| Нормоупаковка | 50 шт |
| Переключаемая энергия | 55 мкДж |
| Корпус | TO-220 |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: d6d1d2b5
- Доступность: В наличие
- Артикул: HGTP12N60A4D
-
рассчитывается индивидуально
