8 (495) 197-66-35 Москва
8 (495) 197-66-35 (доб 831) Нижний Новгород
8 (495) 197-66-35 (доб 812) Санкт-Петербург
Оптовая продажа электроники!
Мы работаем с 9:00 до 18:00


HGTP10N120BN, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт


  • Биполярный транзистор HGTP10N120BN

    Технические характеристики:

    Напряжение: 1200 В

    Ток: 35 А

    Мощность: 298 Вт

    Описание:

    Биполярный транзистор HGTP10N120BN - надежное и высококачественное устройство для управления электрическими цепями. Он обладает высокой производительностью и отличной эффективностью в работе. Идеально подходит для использования в различных электронных устройствах.

    Характеристики
    Вес брутто 3.06 г.
    Импульсный ток коллектора макс. 80 А
    Макс. напр. коллектор-эмиттер 1200 В
    Макс. рассеиваемая мощность 298 Вт
    Макс. ток коллектора 35 А
    Нормоупаковка 50 шт
    Переключаемая энергия 320 мкДж
    Корпус TO-220AB
    Тип упаковки Tube (туба)

    Написать отзыв

    Внимание: HTML не поддерживается! Используйте обычный текст!
        Плохо           Хорошо
    • Производитель: Electrony
    • Код товара: d19bb10c
    • Доступность: В наличие
    • Артикул: HGTP10N120BN
    • рассчитывается индивидуально


    Купить за 1 клик