HGTG30N60A4D, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 463 Вт

Описание HGTG30N60A4D ХарактеристикиСтруктураn-канал Максимальное напряжение кэ ,В600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A75 Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.6 Управляющее напряжение,В7 Мощность макс.,Вт463 Крутизна характеристики, S- Температурный диапазон,С-55…150 Корпусto-247

Биполярный транзистор HGTG30N60A4D IGBT

Мощный и надежный компонент для электроники

Этот биполярный транзистор HGTG30N60A4D IGBT представляет собой надежное и высококачественное устройство для различных электронных устройств. С его характеристиками - 600 В, 60 А, 463 Вт - он обеспечивает стабильную и эффективную работу вашего оборудования.

Характеристики:

Напряжение: 600 В

Ток: 60 А

Мощность: 463 Вт

Покупая биполярный транзистор HGTG30N60A4D IGBT, вы получаете надежный и производительный компонент для своих проектов.