GT60N321, Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 60 А, 170 Вт (Recommended replacement: GT60PR21)

Описание GT60N321 Технология/семействоgen4Наличие встроенного диодадаМаксимальное напряжение КЭ ,В1000Максимальный ток КЭ при 25°C, A60Импульсный ток коллектора (Icm), А120Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.8Максимальная рассеиваемая мощность, Вт170Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс330Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс700Рабочая температура (Tj), °C-55…+150Корпус2-21f2cСтруктураnpnМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В1000Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В1000Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)60Статический коэффициент передачи тока h21э мин30Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт75Корпусto3pВес, г9.8

GT60N321: Биполярный транзистор IGBT

Характеристики:

Напряжение: 1000 В

Ток: 60 А

Мощность: 170 Вт

Рекомендуемая замена: GT60PR21

GT60N321 - высококачественный биполярный транзистор IGBT, обеспечивающий надежную работу электрических устройств. Идеально подходит для использования в различных электронных устройствах и силовых источниках.