GT50JR22, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт

Описание GT50JR22 IGBT Discretes, Toshiba Наличие встроенного диодадаМаксимальное напряжение КЭ ,В600Максимальный ток КЭ при 25°C, A50Импульсный ток коллектора (Icm), А100Напряжение насыщения при номинальном токе, В1.55Максимальная рассеиваемая мощность, Вт230Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс250Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс330Рабочая температура (Tj), °C-55…+175Корпусto-3p(n)Вес, г6.5

Биполярный транзистор GT50JR22

Мощный и надежный IGBT транзистор

Характеристики:

- Напряжение: 600 В

- Ток: 50 А

- Мощность: 230 Вт

GT50JR22 - идеальный компонент для применения в инверторных источниках питания, электронных стабилизаторах, силовых блоках и других устройствах, требующих высокой эффективности и надежности.