FGH60N60SFDTU, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 378 Вт

Описание FGH60N60SFDTU Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor Технология/семействоfield stopНаличие встроенного диодадаМаксимальное напряжение КЭ ,В600Максимальный ток КЭ при 25°C, A120Импульсный ток коллектора (Icm), А180Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.9Максимальная рассеиваемая мощность, Вт378Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс22Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс134Рабочая температура (Tj), °C-55…+150Корпусto-247Вес, г7.5

Биполярный транзистор IGBT FGH60N60SFDTU

Мощный и надежный транзистор для электроники

FGH60N60SFDTU - это высококачественный биполярный транзистор IGBT с номинальными характеристиками: напряжение 600 В, ток 120 А, мощность 378 Вт. Он отлично подходит для использования в различных электронных устройствах, где требуется высокая производительность и надежность.

Особенности:

- Номинальное напряжение 600 В обеспечивает стабильную работу транзистора

- Высокий ток 120 А позволяет передавать большие электрические нагрузки

- Мощность 378 Вт обеспечивает эффективную работу устройства

Необходимый компонент для создания современных электронных устройств и схем. Покупайте качественные транзисторы у нас!