Описание FGH40T120SMD
Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor
Maximum Operating Temperature+175 °CLength15.87mmTransistor ConfigurationSingleBrandON SemiconductorMaximum Collector Emitter Voltage1200 VMaximum Continuous Collector Current80 APackage TypeTO-247Maximum Power Dissipation555 WMounting TypeThrough HoleMinimum Operating Temperature-55 °CWidth4.82mmHeight20.82mmPin Count3Dimensions15.87 x 4.82 x 20.82mmMaximum Gate Emitter Voltage±25VChannel TypeNВес, г7.5
Биполярный транзистор IGBT FGH40T120SMD
Технические характеристики:
Напряжение: 1200 В
Ток: 80 А
Мощность: 555 Вт
Биполярный транзистор FGH40T120SMD идеально подходит для использования в электронных схемах с высокими требованиями к надежности и эффективности. Обеспечивает стабильную работу при высоких напряжениях, токах и мощностях.
| Характеристики | |
| Вес брутто | 6.86 г. |
| Импульсный ток коллектора макс. | 160 А |
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 1200 В |
| Макс. рассеиваемая мощность | 555 Вт |
| Макс. ток коллектора | 80 А |
| Нормоупаковка | 30 шт |
| Переключаемая энергия | 2.7 мДж |
| Корпус | TO-247 |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: a919effe
- Доступность: В наличие
- Артикул: FGH40T120SMD
-
рассчитывается индивидуально
