FGH40T100SMD, Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 80 А, 333 Вт

Описание FGH40T100SMD Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor Технология/семействоtrench and fieldstopНаличие встроенного диодадаМаксимальное напряжение КЭ ,В1000Максимальный ток КЭ при 25°C, A80Импульсный ток коллектора (Icm), А120Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.3Максимальная рассеиваемая мощность, Вт333Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс29Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс285Рабочая температура (Tj), °C-55…+175Корпусto-247a03Вес, г7.5

Биполярный транзистор IGBT FGH40T100SMD

Максимальные параметры:

Напряжение: 1000 В

Ток: 80 А

Мощность: 333 Вт Отличный выбор для использования в силовых электронных устройствах!