Описание FGH30S130P
Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor
Максимальная рабочая температура+175 °CДлина15.87ммTransistor ConfigurationОдинарныйПроизводительON SemiconductorМаксимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)1300 ВМаксимальный непрерывный ток коллектора60 АТип корпусаTO-247Максимальное рассеяние мощности500 ВтТип монтажаМонтаж на плату в отверстияМинимальная рабочая температура-55 °CШирина4.82ммВысота20.82ммЧисло контактов3Размеры15.87 x 4.82 x 20.82ммМаксимальное напряжение затвор-эмиттер±25VТип каналаNВес, г7.5
Биполярный транзистор IGBT FGH30S130P
Описание:
Напряжение: 1300 В
Ток: 60 А
Мощность: 500 Вт
Биполярный транзистор FGH30S130P обладает высокой надежностью и эффективностью. Идеально подходит для использования в различных электронных устройствах и схемах.
| Характеристики | |
| Вес брутто | 6.6 г. |
| Импульсный ток коллектора макс. | 90 А |
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 1300 В |
| Макс. рассеиваемая мощность | 500 Вт |
| Макс. ток коллектора | 60 А |
| Нормоупаковка | 30 шт |
| Корпус | TO-247 |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: 7ba44158
- Доступность: В наличие
- Артикул: FGH30S130P
-
рассчитывается индивидуально
