Описание FGA60N65SMD
IGBT, 650V, 120A, TO-3PN
Корпус TO3P
Максимальная рабочая температура+175 °CДлина15.8ммTransistor ConfigurationОдинарныйПроизводительON SemiconductorМаксимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)650 ВМаксимальный непрерывный ток коллектора120 АТип корпусаTO-3PNМаксимальное рассеяние мощности600 WТип монтажаМонтаж на плату в отверстияМинимальная рабочая температура-55 °CШирина5ммВысота20.1ммЧисло контактов3Размеры15.8 x 5 x 20.1ммМаксимальное напряжение затвор-эмиттер±20VТип каналаNВес, г6.5
Биполярный транзистор IGBT FGA60N65SMD
Мощность и надежность для электронных устройств
Этот биполярный транзистор IGBT обладает напряжением 650 В, током 120 А и мощностью 600 Вт. Он предназначен для использования в электронных устройствах, где требуется высокая производительность и надежность.
Характеристики:
- Напряжение: 650 В
- Ток: 120 А
- Мощность: 600 Вт
Благодаря своим спецификациям, этот транзистор идеально подходит для применения в различных устройствах, требующих высоких показателей электропроводности и стабильной работы.
| Характеристики | |
| Вес брутто | 5.5 г. |
| Импульсный ток коллектора макс. | 180 А |
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 650 В |
| Макс. рассеиваемая мощность | 600 Вт |
| Макс. ток коллектора | 120 А |
| Нормоупаковка | 450 шт |
| Переключаемая энергия | 1.54 мДж |
| Корпус | TO-3PN |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: bb895913
- Доступность: В наличие
- Артикул: FGA60N65SMD
-
рассчитывается индивидуально
