Биполярный транзистор FGA50N100BNTD2 IGBT
Надежный и мощный транзистор для электроники
Характеристики:
- Напряжение: 1000 В
- Ток: 50 А
- Мощность: 156 Вт
Биполярный транзистор FGA50N100BNTD2 IGBT - идеальное решение для создания электронных устройств с высокими требованиями к энергоэффективности и производительности. Обеспечивает надежную работу и высокую эффективность.
| Характеристики | |
| Вес брутто | 6.401 г. |
| Импульсный ток коллектора макс. | 200 А |
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 1000 В |
| Макс. рассеиваемая мощность | 156 Вт |
| Макс. ток коллектора | 50 А |
| Нормоупаковка | 450 шт. |
| Корпус | TO-3P |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: 06c380de
- Доступность: В наличие
- Артикул: FGA50N100BNTD2
-
рассчитывается индивидуально
