Описание BFR193E6327
RF Bipolar Transistors, Infineon
СтруктураnpnМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В20Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В12Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.08Статический коэффициент передачи тока h21э мин50Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц8000Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт0.58Корпусsot-23Вес, г0.05
Биполярный транзистор BFR193E6327
Технические характеристики:
Тип транзистора: NPN
Напряжение коллектор-база: 12В
Ток коллектора: 80мА
Мощность: 580мВт
Коэффициент усиления: 70-140
Частота работы: 8ГГц
Идеальный выбор для электронных устройств, требующих высокую рабочую частоту и усиление сигнала. Гарантировано надежное и эффективное функционирование.
| Характеристики | |
| Вес брутто | 0.05 г. |
| Граничная частота | 8ГГц |
| Мощность макс. | 0.58Вт |
| Напряжение КЭ Макс. | 12В |
| Нормоупаковка | 3000 шт |
| Тип транзистора | NPN |
| Ток коллектора Макс. | 80мА |
| Корпус | SOT23-3 |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: d392a058
- Доступность: В наличие
- Артикул: BFR193E6327
-
29 891.00 р.
