Описание MUN2211T1G
Dual Resistor Digital NPN Transistors, ON Semiconductor
Структураnpn с 2 резисторамиМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В50Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В50Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0,5Статический коэффициент передачи тока h21э мин35Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт0,23КорпусSC-59Вес, г0.05
| Характеристики | |
| Вес брутто | 0.03 г. |
| Мощность макс. | 230mW |
| Напряжение КЭ Макс. | 50V |
| Нормоупаковка | 3000 шт |
| Сопротивление резистора базы R1 | 10k |
| Сопротивление резистора Э-База R2 | 10k |
| Тип транзистора | NPN - Pre-Biased |
| Корпус | SOT23-3 |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: f86bfd76
- Доступность: В наличие
- Артикул: MUN2211T1G
-
рассчитывается индивидуально
