Описание MMUN2113LT1G
Dual Resistor Digital PNP Transistors, ON Semiconductor
Структураpnp с 2 резисторамиМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В50Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В50Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1Статический коэффициент передачи тока h21э мин80Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт0.246Корпусsot-23Вес, г0.05
Цифровой биполярный транзистор PNP MMUN2113LT1G
Характеристики:
Напряжение: 50 В
Ток: 0.1 А
Мощность: 0.246 Вт
Сопротивление: 47 кОм + 47 кОм
| Характеристики | |
| Вес брутто | 0.04 г. |
| Мощность макс. | 400mW |
| Напряжение КЭ Макс. | 50V |
| Нормоупаковка | 3000 шт |
| Сопротивление резистора базы R1 | 47k |
| Сопротивление резистора Э-База R2 | 47k |
| Тип транзистора | PNP - Pre-Biased |
| Корпус | SOT23-3 |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: f718d65d
- Доступность: В наличие
- Артикул: MMUN2113LT1G
-
рассчитывается индивидуально
