Описание DTC114ES
ХарактеристикиСтруктураnpn-цифровой
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин160
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц120
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт0.35
Корпусto92
DTC114ES - цифровой биполярный транзистор NPN
Описание товара:
Этот цифровой биполярный транзистор отличается высокой надежностью и эффективностью.
Характеристики:
Напряжение: 50 В
Ток: 0.1 А
Мощность: 0.3 Вт
Частота: 250 МГц
Сопротивление: 10 кОм + 10 кОм
Отличный выбор для вашего проекта!
| Характеристики | |
| Вес брутто | 0.33 г. |
| Мощность макс. | 300mW |
| Напряжение КЭ Макс. | 50V |
| Нормоупаковка | 100 шт |
| Сопротивление резистора базы R1 | 10k |
| Сопротивление резистора Э-База R2 | 10k |
| Тип транзистора | NPN - Pre-Biased |
| Корпус | TO92/formed lead |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
