MMBTA56LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 0.5 А, 0.225Вт

Описание MMBTA56LT1G The MMBTA56LT1G is a PNP Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is housed in a package which is designed for lower power surface-mount applications. • Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life • Saves board space • AEC-Q101 qualified and PPAP capable СтруктураpnpМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В80Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В80Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.5Статический коэффициент передачи тока h21э мин100Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц50Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт0.225Корпусsot-23Вес, г0.05

Биполярный транзистор MMBTA56LT1G

PNP транзистор с параметрами:

Напряжение: 80 В

Ток: 0.5 А

Мощность: 0.225 Вт

Отличный выбор для создания электронных устройств и схем!