MMBTA42LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А, 0.35 Вт

Описание MMBTA42LT1G The MMBTA42LT1G is a 300V NPN silicon high voltage Bipolar Transistor designed for general purpose amplifier applications. The device is suitable for lower power surface mount applications. • Halogen-free/BFR-free • AEC-Q101 qualified and PPAP capable • 300VDC Collector to base voltage (VCBO) • 6VDC Emitter to base voltage (VEBO) • 556°C/W Thermal resistance, junction to ambient СтруктураnpnМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В300Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В300Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.5Статический коэффициент передачи тока h21э мин40Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц50Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт0.3Корпусsot-23Вес, г0.05

Биполярный транзистор MMBTA42LT1G

Характеристики:

Тип: NPN

Напряжение: 300 В

Ток: 0.5 А

Мощность: 0.35 Вт

Описание:

Биполярный транзистор MMBTA42LT1G обладает высокой надежностью и эффективностью. С этим устройством вы сможете легко контролировать электрический ток в вашей схеме. Идеально подходит для различных электронных устройств и проектов.