MMBTA06LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А, 0.225Вт

Описание MMBTA06LT1G The MMBTA06LT1G is a 80V NPN silicon Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is suitable for lower power surface mount applications. • Halogen-free/BFR-free • 80VDC Collector to base voltage (VCBO) • 4VDC Emitter to base voltage (VEBO) • 556°C/W Thermal resistance, junction to ambient СтруктураnpnМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В80Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В80Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.5Статический коэффициент передачи тока h21э мин100Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц100Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт0.225Корпусsot-23Вес, г0.05

Биполярный транзистор MMBTA06LT1G

Характеристики:

Тип: NPN

Напряжение: 80 В

Ток: 0.5 А

Мощность: 0.225 Вт

Биполярный транзистор MMBTA06LT1G – надежное устройство для создания электронных схем с регулированием напряжения и тока. Используется в различных электронных устройствах и схемах.