MMBT5551LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт

Описание MMBT5551LT1G The MMBT5551LT1G is an NPN Silicon High Voltage Transistor designed for requiring unique site and control change requirements. This transistor is PPAP capable and AEC-Q101 qualified. • Halogen-free СтруктураnpnМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В180Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В160Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.6Статический коэффициент передачи тока h21э мин80Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт0.225Корпусsot-23Вес, г0.05

Биполярный транзистор MMBT5551LT1G

Описание:

Мощный и надежный биполярный транзистор MMBT5551LT1G обеспечивает стабильную работу вашего устройства.

Характеристики:

Тип: NPN
Напряжение: 180 В
Ток: 0.6 А
Мощность: 0.225 Вт