MMBT3906LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.1 А, 0.35 Вт

Описание MMBT3906LT1G Small Signal PNP Transistors, ON Semiconductor СтруктураpnpМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В40Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В40Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.2Статический коэффициент передачи тока h21э мин100Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц250Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт0.3Корпусsot-23Вес, г0.05

Биполярный транзистор MMBT3906LT1G

Технические характеристики:

Тип транзистора: PNP

Максимальное напряжение: 40 В

Максимальный ток: 0.1 А

Мощность: 0.35 Вт

Описание товара:

Биполярный транзистор MMBT3906LT1G предназначен для использования в различных электронных устройствах. Имеет высокие технические характеристики, обеспечивающие стабильную работу при работе с напряжением до 40 В и током до 0.1 А. Идеально подходит для создания надежных схем и электронных устройств.