Описание MJE253G
General Purpose PNP Transistors, Over 1A, ON Semiconductor
СтруктураpnpМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В100Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В100Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)4Статический коэффициент передачи тока h21э мин40Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц40Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт1,5Корпусto-126Вес, г0.9
Биполярный транзистор MJE253G PNP
Характеристики:
Напряжение: 100 В
Ток: 4 А
Мощность: 15 Вт
Отличный выбор для электронных схем и устройств средней мощности.
| Характеристики | |
| Вес брутто | 0.76 г. |
| Коэффициент усиления hFE | 40 |
| Мощность Макс. | 1.5 W |
| Напряжение Колл-Эмитт. Макс | 100V |
| Нормоупаковка | 500 шт |
| Тип монтажа | Сквозной |
| Тип транзистора | PNP |
| Ток коллектора Макс. | 4A |
| Корпус | TO-225AA |
| Тип упаковки | Bulk (россыпь) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: d9558030
- Доступность: В наличие
- Артикул: MJE253G
-
рассчитывается индивидуально
