MJE15032G, Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 8 А, 50 Вт

Описание MJE15032G TRANSISTOR, NPN, TO-220 Transistor Type Bipolar Transistor Polarity NPN Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 250V Current Ic Continuous a Max 8A Voltage, Vce Sat Max 0.5V Power Dissipation 2W Min Hfe 50 ft, Typ 30MHz Case Style TO-220 Termination Type Through Hole Alternate Case Style SOT-78B Application Code PGP Current Ic Max 8A Current Ic av 1A Current Ic hFE 1A Device Marking MJE15032 No. of Pins 3 Power, Ptot 50W Temperature, Full Power Rating 25°C Transistors, No. of 1 Voltage, Vcbo 250V ft, Min 30MHz Корпус SOT78, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 50 Вт, Напряжение КЭ максимальное 250 В, Ток коллектора 8 А, Коэффициент усиления по току, min 50 СтруктураnpnМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В250Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В250Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)8Статический коэффициент передачи тока h21э мин10Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц30Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт2Корпусto-220Вес, г2.5

Биполярный транзистор MJE15032G

Описание товара:

Тип: NPN

Напряжение: 250 В

Ток: 8 А

Мощность: 50 Вт

Биполярный транзистор MJE15032G - надежный и эффективный компонент для использования в электронных устройствах. Обладает высокой мощностью и способен выдерживать напряжение до 250 В. Идеально подходит для различных схем усиления и коммутации. Приобретайте качественные компоненты для вашего проекта!