Описание MJD44H11G
NPN Power Transistors, ON Semiconductor
СтруктураnpnМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В80Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В80Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)8Статический коэффициент передачи тока h21э мин40Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц85Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт1.75Корпусdpak(to-252)Вес, г0.4
Биполярный транзистор MJD44H11G
Технические характеристики:
Тип: NPN
Напряжение коллектор-эмиттер: 80B
Ток коллектора: 8 А
Мощность: 20 Вт
Идеальный выбор для использования в электронных устройствах с высокими требованиями к надежности и производительности.
| Характеристики | |
| Вес брутто | 0.66 г. |
| Коэффициент усиления hFE | 40 |
| Мощность Макс. | 1.75 W |
| Напряжение Колл-Эмитт. Макс | 80V |
| Нормоупаковка | 75 шт |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | NPN |
| Ток коллектора Макс. | 8A |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: 3eaa4ff5
- Доступность: В наличие
- Артикул: MJD44H11G
-
рассчитывается индивидуально
