MJD127G, Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 20 Вт

Описание MJD127G PNP Darlington Transistors, ON Semiconductor Структураpnp darlingtonМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В100Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В100Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)8Статический коэффициент передачи тока h21э мин1000…12000Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц4Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт1,75Корпусdpak(to-252)Вес, г0.4

Биполярный транзистор MJD127G

Технические характеристики:

Тип: PNP

Конфигурация: составной (Darlington)

Напряжение коллектора: 100 В

Ток коллектора: 8 А

Мощность: 20 Вт

Идеальное решение для усиления сигналов и коммутации высокоточных устройств.