Описание MJD122T4
NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics
Структураnpn darlington c 2 резисторами и диодомМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В100Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В100Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)8Статический коэффициент передачи тока h21э мин1000…12000Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц4Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт1.75Корпусdpak(to-252)Вес, г0.4
| Характеристики | |
| Вес брутто | 0.53 г. |
| Коэффициент усиления hFE | 1000 |
| Мощность Макс. | 20 W |
| Напряжение Колл-Эмитт. Макс | 100V |
| Нормоупаковка | 2500 шт |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | NPN, составной |
| Ток коллектора Макс. | 8A |
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
