Описание MJ11032G
NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor
Структураnpn darlingtonМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В120Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В120Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)50Статический коэффициент передачи тока h21э мин1000Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт300Корпусто-3Вес, г18
Биполярный транзистор MJ11032G
Характеристики:
Тип: NPN, составной (Darlington)
Напряжение: 120 В
Ток: 50 А
Мощность: 350 Вт
| Характеристики | |
| Вес брутто | 16.9 г. |
| Коэффициент усиления hFE | 1000 |
| Мощность Макс. | 300 W |
| Напряжение Колл-Эмитт. Макс | 120V |
| Нормоупаковка | 100 шт |
| Тип монтажа | Сквозной |
| Тип транзистора | NPN, составной |
| Ток коллектора Макс. | 50A |
| Корпус | TO-3 |
| Тип упаковки | Bulk (россыпь) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: 89a4350a
- Доступность: В наличие
- Артикул: MJ11032G
-
рассчитывается индивидуально
