Описание MJ11016G
NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor
Структураnpn darlingtonМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В120Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В120Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)30Статический коэффициент передачи тока h21э мин1000Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц4Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт200Корпусто-3Вес, г18
Биполярный транзистор MJ11016G
Описание товара:
Тип: NPN
Конфигурация: составной (Darlington)
Напряжение коллектор-эмиттер: 120 В
Ток коллектора: 30 А
Мощность: 200 Вт
Биполярный транзистор MJ11016G является надежным и эффективным компонентом для устройств, требующих управления силовыми цепями. С его помощью можно реализовать высокий уровень усиления сигнала и обеспечить стабильную работу электронных устройств.
| Характеристики | |
| Вес брутто | 18 г. |
| Коэффициент усиления hFE | 1000 |
| Мощность Макс. | 200 W |
| Напряжение Колл-Эмитт. Макс | 120V |
| Нормоупаковка | 100 шт |
| Тип монтажа | Сквозной |
| Тип транзистора | NPN, составной |
| Ток коллектора Макс. | 30A |
| Корпус | TO-3 |
| Тип упаковки | Bulk (россыпь) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: 0649fbe0
- Доступность: В наличие
- Артикул: MJ11016G
-
рассчитывается индивидуально
