Описание KTD998-O
ХарактеристикиСтруктураnpn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин150
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц50
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт80
Корпусto126
Биполярный транзистор KTD998-O NPN
Технические характеристики:
Напряжение:
120 В
Ток:
10 А
Мощность:
80 Вт
Описание:
Биполярный транзистор KTD998-O представляет собой высококачественный компонент для различных электронных устройств. Он имеет NPN типу кристаллической структуры и может работать при напряжении до 120 В. Ток до 10 А и мощность до 80 Вт обеспечивают стабильную и эффективную работу устройства. Комплементарная пара для данного транзистора - KTB778.
Характеристики | |
Вес брутто | 7.25 г. |
Мощность Макс. | 80 W |
Напряжение Колл-Эмитт. Макс | 120V |
Нормоупаковка | 30 шт |
Тип транзистора | NPN |
Ток коллектора Макс. | 10 A |
Корпус | TO-3P(H)IS |
Тип упаковки | Tube (туба) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: f50d1cd6
- Доступность: В наличие
- Артикул: KTD998-O
-
рассчитывается индивидуально