Биполярный транзистор BSP52T1G
Описание товара:
Этот биполярный транзистор BSP52T1G представляет собой NPN транзистор, составленный по принципу Дарлингтона. Он имеет номинальное напряжение в 80 Вольт и ток в 1 Ампер, что позволяет использовать его в различных электронных устройствах. Максимальная потребляемая мощность составляет 1.25 Вт, обеспечивая стабильную работу устройства.
BSP52T1G идеально подходит для создания усилителей, коммутационных устройств, стабилизаторов напряжения и других электронных устройств, где требуется высокая эффективность и надежность.
Характеристики:- Тип: NPN
- Принцип: составной (Darlington)
- Напряжение: 80 В
- Ток: 1 А
- Мощность: 1.25 Вт
| Характеристики | |
| Вес брутто | 0.21 г. |
| Коэффициент усиления hFE | 2000 |
| Мощность Макс. | 800 mW |
| Напряжение Колл-Эмитт. Макс | 80V |
| Нормоупаковка | 1000 шт |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | NPN, составной |
| Ток коллектора Макс. | 1A |
| Корпус | SOT-223 |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: aefa054c
- Доступность: В наличие
- Артикул: BSP52T1G
-
рассчитывается индивидуально
