Описание BD911
The BD911 from STMicroelectronics is a through hole NPN complementary power transistors in TO-220 package. This device manufactured in epitaxial planar technology.
• Collector to emitter voltage (Vce) is 100V
• Collector current (Ic) is 15A
• Power dissipation (Pd) is 90W
• Collector to emitter saturation voltage of 3V at 10A collector current
• DC current gain (hFE) of 5 at 10A collector current
• Operating junction temperature range from 150°C
СтруктураnpnМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В100Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В100Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)15Статический коэффициент передачи тока h21э мин5Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц3Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт90Корпусto-220Вес, г2.5
BD911 - Биполярный транзистор
Технические характеристики:
Тип: NPN
Напряжение: 100 В
Ток: 15 А
Мощность: 90 Вт
BD911 - надежный биполярный транзистор для работы с высокими токами и напряжениями. Идеально подходит для использования в электронике и электротехнике.
| Характеристики | |
| Вес брутто | 2.71 г. |
| Коэффициент усиления hFE | 15 |
| Мощность Макс. | 90 W |
| Напряжение Колл-Эмитт. Макс | 100V |
| Нормоупаковка | 50 шт |
| Тип монтажа | Сквозной |
| Тип транзистора | NPN |
| Ток коллектора Макс. | 15A |
| Корпус | TO-220 |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
