BD241C, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А, 40 Вт

Описание BD241C The BD241C is a 100V Silicon NPN Complementary Power Transistor manufactured in planar technology with base island layout. The transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. Fast switching times and very low saturation voltage resulting in reduced switching and conduction losses. • Well-controlled hFE parameter for increased reliability • Collector-base voltage (Vcbo = 100V) • Emitter-base voltage (Vcbo = 5V) СтруктураnpnМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В115Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В100Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)3Статический коэффициент передачи тока h21э мин20Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц3Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт40Корпусto-220Вес, г2.5

BD241C – биполярный транзистор для электронных устройств

Описание товара:

Тип: NPN

Напряжение: 100 В

Ток: 3 А

Мощность: 40 Вт

BD241C – надежный и эффективный биполярный транзистор, который может быть использован в различных электронных устройствах. Обеспечивает стабильную работу с напряжением до 100 В, током до 3 А и мощностью до 40 Вт. Подходит для широкого спектра применений.