BCW72LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.3Вт

Описание BCW72LT1G Small Signal NPN Transistors, ON Semiconductor Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.25 VМаксимальная рабочая температура+150 °CМаксимальная рабочая частота300 MHzКоличество элементов на ИС1Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер0,85 ВДлина2.9ммМаксимальное напряжение коллектор-база50 VTransistor ConfigurationОдинарныйПроизводительON SemiconductorМаксимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)45 ВТип корпусаSOT-23Максимальное рассеяние мощности300 мВтТип монтажаПоверхностный монтажМинимальная рабочая температура-55 °CШирина1.3ммМаксимальный пост. ток коллектора100 mAТип транзистораNPNВысота0.94ммЧисло контактов3Максимальное напряжение эмиттер-база5 ВРазмеры0.94 x 2.9 x 1.3ммМинимальный коэффициент усиления по постоянному току200Вес, г0.05

Биполярный транзистор BCW72LT1G

Описание товара

Биполярный транзистор BCW72LT1G - надежный NPN транзистор с характеристиками 45 В, 0.1 А и 0.3 Вт. Идеально подходит для использования в различных электронных устройствах и схемах.

Характеристики

Тип: NPN
Напряжение: 45 В
Ток: 0.1 А
Мощность: 0.3 Вт

Необходимый элемент для создания эффективных электронных систем!