BCW67CE6327HTSA1, Биполярный транзистор

Описание BCW67CE6327HTSA1 General Purpose PNP Transistors, Infineon Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.7 VМаксимальная рабочая температура+150 °CМаксимальная рабочая частота200 МГцКоличество элементов на ИС1Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер2 VДлина2.9ммМаксимальное напряжение коллектор-база45 ВTransistor ConfigurationОдинарныйПроизводительInfineonМаксимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)32 ВТип корпусаSOT-23Максимальное рассеяние мощности330 мВтТип монтажаПоверхностный монтажШирина1.3ммМаксимальный пост. ток коллектора800 мАТип транзистораPNPВысота0.9ммЧисло контактов3Размеры2.9 x 1.3 x 0.9ммМаксимальное напряжение эмиттер-база5 ВМинимальный коэффициент усиления по постоянному току80Вес, г0.05

BCW67CE6327HTSA1: Биполярный транзистор

Описание товара

BCW67CE6327HTSA1 - это биполярный транзистор, который отличается высокой надежностью и эффективностью. Он предназначен для использования в различных электронных устройствах, где требуется усиление сигнала или коммутация.

Характеристики

Модель: BCW67CE6327HTSA1

Тип: биполярный транзистор

Применение: усиление сигнала, коммутация

Надежность: высокая

Приобретите BCW67CE6327HTSA1 сейчас и улучшите работу ваших электронных устройств!