BCP56-16T1G, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А, 1.3 Вт

Описание BCP56-16T1G NPN Bipolar Transistor, hFE 100 to 250 Корпус SOT-223, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 1.5 Вт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 1 А, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 250 СтруктураnpnМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В100Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В80Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)1Статический коэффициент передачи тока h21э мин100…250Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц130Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт1,5КорпусSOT-223Вес, г0.39

Биполярный транзистор BCP56-16T1G

Характеристики:

Тип: NPN

Напряжение: 80 В

Ток: 1 А

Мощность: 1.3 Вт

Отличный выбор для проектов, требующих надежного биполярного транзистора с высоким напряжением и током.