BC857BLT1G, Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А, 0.225 Вт

Описание BC857BLT1G The BC857BLT1G is a -45V PNP silicon Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is suitable for lower power surface mount applications. • Halogen-free/BFR-free • -50V Collector to base voltage (VCBO) • -5V Emitter to base voltage (VEBO) • -200mADC Peak collector current • 556°C/W Thermal resistance, junction to ambient СтруктураpnpМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В50Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В45Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1Статический коэффициент передачи тока h21э мин220…475Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц100Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт0.225Корпусsot-23Вес, г0.05

BC857BLT1G - Биполярный транзистор для вашего проекта

Характеристики:

Тип: PNP

Напряжение: 45 В

Ток: 0.1 А

Мощность: 0.225 Вт

BC857BLT1G - идеальный выбор для вашей электроники!