BC846BLT1G, Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А, 0.225 Вт

Описание BC846BLT1G The BC846BLT1G is a 65V NPN silicon Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is suitable for lower power surface mount applications, ESD protection, polarity reversal protection, data line protection, inductive load protection and steering logic. • Halogen-free/BFR-free • ESD rating - >4000V human body model, >400V machine model • 80V Collector to base voltage (VCBO) • 6V Emitter to base voltage (VEBO) • 556°C/W Thermal resistance, junction to ambient СтруктураnpnМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В80Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В65Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1Статический коэффициент передачи тока h21э мин200…450Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц100Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт0.225Корпусsot-23Вес, г0.08

Биполярный транзистор BC846BLT1G

NPN, 65 В, 0.1 А, 0.225 Вт

Описание: Биполярный транзистор BC846BLT1G - надежный и эффективный электронный компонент для использования в различных электронных устройствах. Данный транзистор имеет тип NPN, напряжение 65 В, ток 0.1 А и мощность 0.225 Вт.

Применение: BC846BLT1G подходит для работы в усилителях, источниках питания, и других устройствах, где требуется высокая надежность и стабильность работы.