Покупая изделие: si7852dp-t1-ge3, моп-транзистор, n канал, 12.5 а, 80 в, 13.5 мом, 10 в, 2 в наши специалисты помогут с выбором нужных сопутствующих товаров из каталога: Vishay . Мы проконсультируем вас по всем техническим деталям и в случае необходимости подберем аналогичный товар: ETM или похожий товар производителя vishay. Помощь в подборе материалов от экспертов в своей области, а также оперативная доставка и сниженные цены на весь товар.
SI7852DP-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 12.5 А, 80 В, 13.5 мОм, 10 В, 2 В
The SI7852DP-T1-GE3 is a 80VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for primary side switch applications. • New low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile • PWM optimized • Fast switching • 100% Rg tested • Halogen-free • -55 to 150°C Operating temperature range Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
МОП-транзистор SI7852DP-T1-GE3
Описание:
Тип: N-канальный
Ток: 12.5 А
Напряжение: 80 В
Сопротивление открытого канала: 13.5 мОм
Напряжение затвора (макс): 10 В
Температурный диапазон: от -55°C до +175°C
Идеальное решение для электронных устройств, работающих на высоких токах и напряжениях.
| Характеристики | |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
| Непрерывный Ток Стока | 12.5А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Рассеиваемая Мощность | 1.9Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0135Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SO |
| Характеристики | |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Теги: Vishay