IRGP6650DPBF, Транзистор, IGBT, 600B, 80A, [TO-247-3]: от компании Electrony

Покупая изделие: irgp6650dpbf, транзистор, igbt, 600b, 80a, [to-247-3] наши специалисты помогут с выбором нужных сопутствующих товаров из каталога: IR . Мы проконсультируем вас по всем техническим деталям и в случае необходимости подберем аналогичный товар: Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), Диодные мосты, Диоды быстродействующие, Ферритовые изделия, Драйверы MOSFET и IGBT или похожий товар производителя international rectifier. Помощь в подборе материалов от экспертов в своей области, а также оперативная доставка и сниженные цены на весь товар.

IRGP6650DPBF, Транзистор, IGBT, 600B, 80A, [TO-247-3]

Single IGBT over 21A, International Rectifier Optimised IGBTs designed for medium frequency applications with fast response and provide the user with the highest efficiency available. Utilising FRED diodes optimised to provide the best performance with IGBT's IGBT Transistors, International Rectifier International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.

Транзистор IRGP6650DPBF

Мощный IGBT транзистор для высоковольтных приложений

Характеристики:

Максимальное напряжение: 600B

Максимальный ток: 80A

IRGP6650DPBF - идеальный выбор для создания надежных электронных устройств с высокой эффективностью и производительностью.