Покупая изделие: irfz44nlpbf, mosfet n-channel 55v 49a наши специалисты помогут с выбором нужных сопутствующих товаров из каталога: IR . Мы проконсультируем вас по всем техническим деталям и в случае необходимости подберем аналогичный товар: ETM или похожий товар производителя international rectifier. Помощь в подборе материалов от экспертов в своей области, а также оперативная доставка и сниженные цены на весь товар.
IRFZ44NLPBF, MOSFET N-Channel 55V 49A
N-Channel Power MOSFET 40A to 49A, International Rectifier International Rectifier's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency. MOSFET Transistors, International Rectifier International Rectifier's comprehensive portfolio of rugged single- and dual- N-channel and P-channel devices offers fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements in applications ranging from AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.Semiconductors
МОСФЕТ IRFZ44NLPBF N-канальный 55V 49A
Описание товара:
IRFZ44NLPBF - мощный металлоксидный полевой транзистор (MOSFET) с N-канальным типом проводимости. Он способен выдерживать напряжение до 55 вольт и ток до 49 ампер, что делает его идеальным для использования в устройствах с высокими нагрузками.
Этот MOSFET можно применять в различных схемах управления мощностью, включая преобразователи постоянного тока, инверторы и другие устройства, где требуется эффективное управление высокими токами и напряжениями.
IRFZ44NLPBF обладает высокой производительностью и надежностью, что делает его отличным выбором для профессиональных проектов и электронных устройств.
Характеристики | |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 49 A |
Maximum Drain Source Resistance | 0.0175 ? |
Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Number of Elements per Chip | 1 |
Pin Count | 3 |
Typical Gate Charge @ Vgs | 63 nC@ 10 V |
Typical Input Capacitance @ Vds | 1470 pF@ 25 V |
Typical Turn-Off Delay Time | 44 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 12 ns |
высота | 10.54mm |
длина | 10.54mm |
конфигурация | Single |
максимальная рабочая температура | +175 °C |
Максимальная рассеиваемая мощность | 3.8 W |
размеры | 10.54 x 4.69 x 10.54mm |
тип монтажа | Through Hole |
тип упаковки | TO-262 |
ширина | 4.69mm |
Характеристики | |
разрешение | Power MOSFET |
- Производитель: International Rectifier
- Код товара: d44bba75
- Доступность: В наличие
- Артикул:
-
390.00 р.
Теги: IR