![K9F1G08U0E-SIB0000, NAND Flash память, 1ГБ, Vcc=2.7...3.6В [TSOP-48]: от компании Electrony](https://electrony.ru/image/cache//cont/samsung/k9f1g08u0e-sib0000-nand-flash-pamyat-1gb-vcc2736v-tsop-48-500x500.jpg "K9F1G08U0E-SIB0000, NAND Flash память, 1ГБ, Vcc=2.7...3.6В [TSOP-48]: от компании Electrony")
Покупая изделие: k9f1g08u0e-sib0000, nand flash память, 1гб, vcc=2.7...3.6в [tsop-48] наши специалисты помогут с выбором нужных сопутствующих товаров из каталога: Samsung . Мы проконсультируем вас по всем техническим деталям и в случае необходимости подберем аналогичный товар: Микросхемы стандартной логики, Микросхемы памяти, Микроконтроллеры, Панельки под микросхемы, PLCC панельки для микросхем или похожий товар производителя samsung electronics. Помощь в подборе материалов от экспертов в своей области, а также оперативная доставка и сниженные цены на весь товар.
K9F1G08U0E-SIB0000, NAND Flash память, 1ГБ, Vcc=2.7...3.6В [TSOP-48]
NAND Flash память объемом 1ГБ
Модель: K9F1G08U0E-SIB0000
Описание: Представляем вам высококачественную NAND Flash память объемом 1ГБ. Этот модуль идеально подходит для использования в различных устройствах, требующих устойчивое и быстрое хранение данных.
Характеристики:
- Название модели: K9F1G08U0E-SIB0000
- Объем: 1ГБ
- Напряжение питания: 2.7-3.6В
Не упустите возможность приобрести эту надежную и производительную NAND Flash память для вашего устройства!
| Характеристики | |
| Корпус | tsop-48 |
| Напряжение питания | 2.7…3.6 в |
| Объем памяти | 1 гбит |
| Рабочая температура | -40…+85 гр.c |
| Тип памяти | nand flash |
| Характеристики | |
| Серия | k9f1g |
Теги: Samsung