HGTG30N60A4, IGBT 600В 75А, [TO-247]: от компании Electrony

Покупая изделие: hgtg30n60a4, igbt 600в 75а, [to-247] наши специалисты помогут с выбором нужных сопутствующих товаров из каталога: Fairchild . Мы проконсультируем вас по всем техническим деталям и в случае необходимости подберем аналогичный товар: Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), Диодные мосты, Диоды быстродействующие, Ферритовые изделия, Драйверы MOSFET и IGBT или похожий товар производителя fairchild semiconductor. Помощь в подборе материалов от экспертов в своей области, а также оперативная доставка и сниженные цены на весь товар.

HGTG30N60A4, IGBT 600В 75А, [TO-247]

The HGTG30N60A4 is a SMPS IGBT combines the best features of high input impedance of a MOSFET and low on state conduction loss of a bipolar transistor. This IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for fast switching applications. • Low saturation voltage • Low conduction losses due to low on-state resistance • 58ns fall time at 125°C junction temperature

Модуль полевого транзистора HGTG30N60A4

Описание:

Модель: HGTG30N60A4

Тип: IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором)

Номинальное напряжение: 600 В

Номинальный ток: 75 А

Характеристики:

Модуль полевого транзистора HGTG30N60A4 является надежным и эффективным устройством для управления электромагнитными нагрузками. Он обладает высоким номинальным напряжением 600 В и номинальным током 75 А, что позволяет использовать его в различных сферах промышленности. Благодаря своей стабильной работе и долгому сроку службы, этот модуль идеально подходит для широкого спектра применений.