HGTG20N60B3, IGBT 600В 40А [TO-247AC]: от компании Electrony

Покупая изделие: hgtg20n60b3, igbt 600в 40а [to-247ac] наши специалисты помогут с выбором нужных сопутствующих товаров из каталога: Fairchild . Мы проконсультируем вас по всем техническим деталям и в случае необходимости подберем аналогичный товар: Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), Диодные мосты, Диоды быстродействующие, Ферритовые изделия, Драйверы MOSFET и IGBT или похожий товар производителя fairchild semiconductor. Помощь в подборе материалов от экспертов в своей области, а также оперативная доставка и сниженные цены на весь товар.

HGTG20N60B3, IGBT 600В 40А [TO-247AC]

The HGTG20N60B3 is a N-channel IGBT ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as drivers for solenoids, relays and contactors. The generation III UFS series MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low ON-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower ON-state voltage drop varies only moderately between 25 and 150°C. • Short-circuit rating • 140ns at 150°C Typical fall time • 165W Total power dissipation @ TC = 25°C

IGBT модуль HGTG20N60B3

Мощный IGBT модуль с напряжением до 600В и током до 40А. Идеально подходит для применения в электронике, преобразователях частоты, источниках питания и других устройствах, требующих высокой энергоэффективности и надежности.

Характеристики:

• Напряжение: 600В
• Ток: 40А
• Применение: электроника, преобразователи частоты, источники питания
• Надежность: высокая
• Энергоэффективность: высокая

Необходимый компонент для создания эффективных и надежных электронных устройств.