HGTG11N120CND, Транзистор IGBT 1200В 43А 298Вт [TO-247]: от компании Electrony

Покупая изделие: hgtg11n120cnd, транзистор igbt 1200в 43а 298вт [to-247] наши специалисты помогут с выбором нужных сопутствующих товаров из каталога: Fairchild . Мы проконсультируем вас по всем техническим деталям и в случае необходимости подберем аналогичный товар: Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), Диодные мосты, Диоды быстродействующие, Ферритовые изделия, Драйверы MOSFET и IGBT или похожий товар производителя fairchild semiconductor. Помощь в подборе материалов от экспертов в своей области, а также оперативная доставка и сниженные цены на весь товар.

HGTG11N120CND, Транзистор IGBT 1200В 43А 298Вт [TO-247]

The HGTG11N120CND is a 1200V N-channel IGBT with anti-parallel hyper fast diode. It is in a non-punch through (NPT) IGBT design. This NPT series is a new member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBT combines the best features of MOSFET and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. Offers lower conduction loss and lower switching loss for designing high efficiency and reliable systems. Fairchild offers an extensive portfolio of IGBT devices by various process technologies from 300V to greater than 1200V. Optimized manufacturing process results in better control and repeatability of the top-side structure, resulting in tighter specifications and better EMI performance. This product is general usage and suitable for many different applications. • 340ns at TJ = 150°C Fall time

Транзистор IGBT HGTG11N120CND

Мощный и надежный компонент для электроники

Напряжение: 1200В

Ток: 43А

Мощность: 298Вт

Транзистор IGBT HGTG11N120CND - идеальный выбор для проектов, где требуется высокая эффективность и надежность. С его помощью можно управлять большими электрическими нагрузками с минимальными потерями. Благодаря своим характеристикам он подходит как для промышленного оборудования, так и для устройств уровня потребителя.