![HGT1S7N60C3DS9A, IGBT 600В 14А [D2-PAK]: от компании Electrony](https://electrony.ru/image/cache//cont/fairchild/hgt1s7n60c3ds9a-igbt-600v-14a-d2-pak-500x500.jpg "HGT1S7N60C3DS9A, IGBT 600В 14А [D2-PAK]: от компании Electrony")
Покупая изделие: hgt1s7n60c3ds9a, igbt 600в 14а [d2-pak] наши специалисты помогут с выбором нужных сопутствующих товаров из каталога: Fairchild . Мы проконсультируем вас по всем техническим деталям и в случае необходимости подберем аналогичный товар: Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), Диодные мосты, Диоды быстродействующие, Ферритовые изделия, Драйверы MOSFET и IGBT или похожий товар производителя fairchild semiconductor. Помощь в подборе материалов от экспертов в своей области, а также оперативная доставка и сниженные цены на весь товар.
HGT1S7N60C3DS9A, IGBT 600В 14А [D2-PAK]
Мощный транзистор HGT1S7N60C3DS9A для электроники
IGBT 600В, 14А
Описание: Этот высококачественный транзистор предназначен для использования в различных электронных устройствах. С его помощью можно значительно увеличить эффективность работы системы благодаря высокой нагрузочной способности.
Характеристики:
- Напряжение: 600В
- Ток: 14А
- Прочный корпус обеспечивает надежную защиту от повреждений
Применение: Идеально подходит для построения мощных и стабильных электронных схем в различных областях применения.
| Характеристики | |
| Корпус | d2pak |
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 14 |
| Мощность макс.,Вт | 60 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.6 |
| Температурный диапазон,С | -40…150 |
| Управляющее напряжение,В | 5 |
| Характеристики | |
| Структура | n-канал+диод |
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Код товара: fbc73234
- Доступность: В наличие
- Артикул:
-
75.00 р.
Теги: Fairchild