FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247]: от компании Electrony

Покупая изделие: fgh60n60smd, транзистор, igbt, field stop, 600в, 60а, [to-247] наши специалисты помогут с выбором нужных сопутствующих товаров из каталога: Fairchild . Мы проконсультируем вас по всем техническим деталям и в случае необходимости подберем аналогичный товар: Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), Диодные мосты, Диоды быстродействующие, Ферритовые изделия, Драйверы MOSFET и IGBT или похожий товар производителя fairchild semiconductor. Помощь в подборе материалов от экспертов в своей области, а также оперативная доставка и сниженные цены на весь товар.

FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247]

IGBT Discretes, Fairchild Semiconductor IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Транзистор FGH60N60SMD

IGBT, Field Stop, 600В, 60А

Описание: Транзистор FGH60N60SMD представляет собой мощный полевой IGBT с прекрасной характеристикой Field Stop. Он способен работать на напряжении до 600В и выдерживать ток до 60А, что делает его идеальным выбором для широкого спектра применений.

Необходимый компонент для построения эффективных и надежных электронных устройств.