FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO-3PN]: от компании Electrony

Покупая изделие: fga25n120antdtu, транзистор igbt 1200в 25а 312вт, встроенный диод [to-3pn] наши специалисты помогут с выбором нужных сопутствующих товаров из каталога: Fairchild . Мы проконсультируем вас по всем техническим деталям и в случае необходимости подберем аналогичный товар: Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), Диодные мосты, Диоды быстродействующие, Ферритовые изделия, Драйверы MOSFET и IGBT или похожий товар производителя fairchild semiconductor. Помощь в подборе материалов от экспертов в своей области, а также оперативная доставка и сниженные цены на весь товар.

FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO-3PN]

FGA25N120ANTD от компании Fairchild является NPT траншейным БТИЗ 1200В 25А сквозного монтажа в корпусе TO-3P. БТИЗ обеспечивает превосходную проводимость, коммутационные характеристики, высокую лавинную надежность и простоту параллельной работы. Это устройство хорошо подходит для приложений с резонансным или мягким переключением. • Напряжение коллектор-эмиттер (Vces) 1.2кВ • Ток коллектора 50А при 25°C • Непрерывный прямой ток диода 50А при 25°C • Диапазон рабочей температуры перехода от - 55°C до 150°C • Максимальное рассеивание мощности 312Вт при 25°C • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.65В при Ic=50А • Максимальное прямое напряжение диода 3В при IF = 25А • Пиковый ток обратного восстановления диода 40А

Транзистор IGBT FGA25N120ANTDTU

Мощный и надежный

Транзистор IGBT FGA25N120ANTDTU обладает высокой надежностью и эффективностью. С номинальным напряжением 1200В, током 25А и мощностью 312Вт, он идеально подходит для широкого спектра применений.

Встроенный диод обеспечивает стабильную работу устройства и защищает от перегрузок. Благодаря своим компактным размерам и высокой производительности, этот транзистор идеально подходит для промышленного применения.

Приобретите транзистор IGBT FGA25N120ANTDTU и обеспечьте надежную работу вашего оборудования!