Покупая изделие: 2n7000_d26z, mosfet n-ch 60v 200ma enh наши специалисты помогут с выбором нужных сопутствующих товаров из каталога: Fairchild . Мы проконсультируем вас по всем техническим деталям и в случае необходимости подберем аналогичный товар: ETM или похожий товар производителя fairchild semiconductor. Помощь в подборе материалов от экспертов в своей области, а также оперативная доставка и сниженные цены на весь товар.
2N7000_D26Z, MOSFET N-Ch 60V 200mA Enh
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching. MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages. Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.Semiconductors
МОС транзистор 2N7000_D26Z
Описание:
Тип: N-канальный MOSFET
Напряжение стока-исток: 60V
Ток стока: 200mA
Усиление: Enhanced
Характеристики | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 0.8V |
Высота | 5.33mm |
Длина | 5.2mm |
Количество элементов на ИС | 1 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Максимальное напряжение затвор-исток | ±40 В |
Максимальное напряжение сток-исток | 60 V |
Максимальное рассеяние мощности | 400 mW |
Максимальное сопротивление сток-исток | 9 ? |
Максимальный непрерывный ток стока | 0.2 A |
Материал транзистора | Кремний |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Номер канала | Enhancement |
Прямая активная межэлектродная проводимость | 320с |
Размеры | 5.2 x 4.19 x 5.33мм |
Тип канала | N |
Тип корпуса | TO-92 |
Тип монтажа | Through Hole |
Типичная входная емкость при Vds | 20 пФ при 25 В |
Типичное время задержки включения | 10 ns |
Типичное время задержки выключения | 10 ns |
Число контактов | 3 |
Ширина | 4.19мм |
Характеристики | |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Код товара: 0ef195bd
- Доступность: В наличие
- Артикул:
-
14.00 р.
Теги: Fairchild