8 (495) 197-66-35 Москва
8 (495) 197-66-35 (доб 831) Нижний Новгород
8 (495) 197-66-35 (доб 812) Санкт-Петербург
Оптовая продажа электроники!
Мы работаем с 9:00 до 18:00


2N7000_D26Z, MOSFET N-Ch 60V 200mA Enh: от компании Electrony

  • 2N7000_D26Z, MOSFET N-Ch 60V 200mA Enh: от компании Electrony
  • 2N7000_D26Z, MOSFET N-Ch 60V 200mA Enh: от компании Electrony
  • 2N7000_D26Z, MOSFET N-Ch 60V 200mA Enh: от компании Electrony
  • 2N7000_D26Z, MOSFET N-Ch 60V 200mA Enh: от компании Electrony
  • 2N7000_D26Z, MOSFET N-Ch 60V 200mA Enh: от компании Electrony
  • Покупая изделие: 2n7000_d26z, mosfet n-ch 60v 200ma enh наши специалисты помогут с выбором нужных сопутствующих товаров из каталога: Fairchild . Мы проконсультируем вас по всем техническим деталям и в случае необходимости подберем аналогичный товар: ETM или похожий товар производителя fairchild semiconductor. Помощь в подборе материалов от экспертов в своей области, а также оперативная доставка и сниженные цены на весь товар.

    2N7000_D26Z, MOSFET N-Ch 60V 200mA Enh

    Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching. MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages. Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.Semiconductors

    Характеристики
    Minimum Gate Threshold Voltage 0.8V
    Высота 5.33mm
    Длина 5.2mm
    Количество элементов на ИС 1
    Конфигурация Single
    Максимальная рабочая температура +150 °C
    Максимальное напряжение затвор-исток ±40 В
    Максимальное напряжение сток-исток 60 V
    Максимальное рассеяние мощности 400 mW
    Максимальное сопротивление сток-исток 9 ?
    Максимальный непрерывный ток стока 0.2 A
    Материал транзистора Кремний
    Минимальная рабочая температура -55 °C
    Номер канала Enhancement
    Прямая активная межэлектродная проводимость 320с
    Размеры 5.2 x 4.19 x 5.33мм
    Тип канала N
    Тип корпуса TO-92
    Тип монтажа Through Hole
    Типичная входная емкость при Vds 20 пФ при 25 В
    Типичное время задержки включения 10 ns
    Типичное время задержки выключения 10 ns
    Число контактов 3
    Ширина 4.19мм
    Характеристики
    Категория Мощный МОП-транзистор

    Написать отзыв

    Внимание: HTML не поддерживается! Используйте обычный текст!
        Плохо           Хорошо
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Код товара: 0ef195bd
    • Доступность: В наличие
    • Артикул:
    • 14.00 р.


    Купить за 1 клик

    Теги: Fairchild