8 (495) 197-66-35 Москва
8 (495) 197-66-35 (доб 831) Нижний Новгород
8 (495) 197-66-35 (доб 812) Санкт-Петербург
Оптовая продажа электроники!
Мы работаем с 9:00 до 18:00


IRF7404TRPBF, МОП-транзистор, P Канал, -6.7 А, -20 В, 0.04 Ом, -4.5 В, -700 мВ: от компании Electrony

  • IRF7404TRPBF, МОП-транзистор, P Канал, -6.7 А, -20 В, 0.04 Ом, -4.5 В, -700 мВ: от компании Electrony
  • IRF7404TRPBF, МОП-транзистор, P Канал, -6.7 А, -20 В, 0.04 Ом, -4.5 В, -700 мВ: от компании Electrony
  • IRF7404TRPBF, МОП-транзистор, P Канал, -6.7 А, -20 В, 0.04 Ом, -4.5 В, -700 мВ: от компании Electrony
  • IRF7404TRPBF, МОП-транзистор, P Канал, -6.7 А, -20 В, 0.04 Ом, -4.5 В, -700 мВ: от компании Electrony
  • Покупая изделие: irf7404trpbf, моп-транзистор, p канал, -6.7 а, -20 в, 0.04 ом, -4.5 в, -700 мв наши специалисты помогут с выбором нужных сопутствующих товаров из каталога: Infineon . Мы проконсультируем вас по всем техническим деталям и в случае необходимости подберем аналогичный товар: ETM или похожий товар производителя infineon technologies. Помощь в подборе материалов от экспертов в своей области, а также оперативная доставка и сниженные цены на весь товар.

    IRF7404TRPBF, МОП-транзистор, P Канал, -6.7 А, -20 В, 0.04 Ом, -4.5 В, -700 мВ

    The IRF7404TRPBF is a HEXFET® single P-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. It has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space. The package is designed for vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation of greater than 0.8W is possible in a typical PCB mount application. • Generation V technology • Dynamic dV/dt rating • Fast switching • Low static drain-to-source ON-resistance • Fully avalanche rating Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

    Характеристики
    Количество Выводов 8вывод(-ов)
    Напряжение Измерения Rds(on) -4.5В
    Напряжение Истока-стока Vds -20В
    Непрерывный Ток Стока -6.7А
    Полярность Транзистора P Канал
    Пороговое Напряжение Vgs -700мВ
    Рассеиваемая Мощность 2.5Вт
    Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.04Ом
    Стиль Корпуса Транзистора SOIC
    Характеристики
    Максимальная Рабочая Температура 150 C

    Написать отзыв

    Внимание: HTML не поддерживается! Используйте обычный текст!
        Плохо           Хорошо
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Код товара: f5bb3dc0
    • Доступность: В наличие
    • Артикул:
    • 73.00 р.


    Купить за 1 клик

    Теги: Infineon