Покупая изделие: irf7404trpbf, моп-транзистор, p канал, -6.7 а, -20 в, 0.04 ом, -4.5 в, -700 мв наши специалисты помогут с выбором нужных сопутствующих товаров из каталога: Infineon . Мы проконсультируем вас по всем техническим деталям и в случае необходимости подберем аналогичный товар: ETM или похожий товар производителя infineon technologies. Помощь в подборе материалов от экспертов в своей области, а также оперативная доставка и сниженные цены на весь товар.
IRF7404TRPBF, МОП-транзистор, P Канал, -6.7 А, -20 В, 0.04 Ом, -4.5 В, -700 мВ
The IRF7404TRPBF is a HEXFET® single P-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. It has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space. The package is designed for vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation of greater than 0.8W is possible in a typical PCB mount application. • Generation V technology • Dynamic dV/dt rating • Fast switching • Low static drain-to-source ON-resistance • Fully avalanche rating Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
IRF7404TRPBF - МОП-транзистор высочайшего качества
Основные характеристики:
Тип товара: МОП-транзистор
Полярность: P Канал
Ток: -6.7 А
Напряжение: -20 В
Сопротивление: 0.04 Ом
Напряжение на открытие: -4.5 В
Пороговое напряжение: -700 мВ
Описание товара:
IRF7404TRPBF - это высококачественный МОП-транзистор с P Каналом и высокими характеристиками. Обладает низким сопротивлением и отличной производительностью. Подходит для широкого спектра электронных устройств и проектов.
Характеристики | |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Напряжение Измерения Rds(on) | -4.5В |
Напряжение Истока-стока Vds | -20В |
Непрерывный Ток Стока | -6.7А |
Полярность Транзистора | P Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | -700мВ |
Рассеиваемая Мощность | 2.5Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.04Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
Характеристики | |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
- Производитель: Infineon Technologies
- Код товара: f5bb3dc0
- Доступность: В наличие
- Артикул:
-
73.00 р.
Теги: Infineon